特許
J-GLOBAL ID:200903041673153120
液晶デバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-005378
公開番号(公開出願番号):特開2002-287170
出願日: 2002年01月11日
公開日(公表日): 2002年10月03日
要約:
【要約】【課題】 ねじれの発生を回避することによって、デバイスの輝度およびデバイスの応答速度を向上させる、πセル液晶デバイスを提供する。【解決手段】 本発明のπセル液晶デバイスは、第1および第2のアライメント層の間に配置されたネマチック液晶材料の層を含み、印加された電場が0である場合、H状態のエネルギーがV状態およびT状態の各々のエネルギーよりも小さくなり、V状態のエネルギーがT状態のエネルギー以下になるように、第1および第2のアライメント層が、隣接する液晶材料内にプレティルトを誘起し、層の少なくとも1つの領域に、V状態のエネルギーがH状態およびT状態の各々のエネルギーよりも小さい第1の電場と、該第1の電場よりも大きさが小さくH状態のエネルギーがV状態およびT状態の各々のエネルギーよりも小さい第2の電場とを選択的に印加する駆動構成要素を特徴とする。
請求項(抜粋):
第1および第2のアライメント層(14,15)の間に配置されたネマチック液晶材料の層(17)を含むπセル液晶デバイスであって、印加された電場が0である場合、H状態のエネルギーがV状態およびT状態の各々のエネルギーよりも小さくなり、V状態のエネルギーがT状態のエネルギー以下になるように、該第1および第2のアライメント層が、隣接する該液晶材料内にプレティルトを誘起し、該層(17)の少なくとも1つの領域に、V状態のエネルギーがH状態およびT状態の各々のエネルギーよりも小さい第1の電場(VB)と、該第1の電場(VB)よりも大きさが小さく、且つ、H状態のエネルギーがV状態およびT状態の各々のエネルギーよりも小さい第2の電場(VW)とを選択的に印加する駆動構成要素(18)とを特徴とする、πセル液晶デバイス。
IPC (4件):
G02F 1/139
, G02F 1/13 500
, G02F 1/133 505
, G02F 1/1337
FI (4件):
G02F 1/139
, G02F 1/13 500
, G02F 1/133 505
, G02F 1/1337
Fターム (24件):
2H088GA02
, 2H088HA03
, 2H088HA06
, 2H088JA28
, 2H088KA07
, 2H088KA08
, 2H088KA14
, 2H088LA06
, 2H088MA06
, 2H088MA10
, 2H090KA18
, 2H090LA04
, 2H090LA07
, 2H090MA00
, 2H090MA02
, 2H090MA10
, 2H090MA11
, 2H090MB01
, 2H093NA79
, 2H093NC90
, 2H093ND08
, 2H093ND32
, 2H093NE04
, 2H093NE06
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