集積回路用金属膜形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-241218
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099196
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】半導体配線形成に用いる無電解金属めっきの前処理において、半導体素子形成表面のみを液相で活性化することで、裏面への金属の堆積を防止し、その結果、次工程でのコンタミネーションを防止する。【構成】バリヤメタル14を堆積したコンタクトホール18を有する半導体素子形成用ウエハー11を、スピンコーター12上で回転させながら前処理を行い、半導体素子形成表面のみを活性化する。このように表面処理されたウエハー11をめっき浴13に浸積することで、半導体素子形成表面全面のみに配線用金属15を堆積する。

請求項（抜粋）：

金属膜を形成すべき基板において、少なくともめっきを行うための活性化処理を液相で、基板の一主面にのみ行う工程と、前記活性化処理が施された基板を、無電解めっき処理槽内に設置し、活性化処理された面にのみ、金属膜を形成する工程とを備えた集積回路用金属膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , C23C 18/30

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭58-166768
特開昭58-166768
特開平4-123432

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