特許

J-GLOBAL ID：200903041678797506

半導体装置の製造方法

発明者： 高木 幹夫
出願人/特許権者： 株式会社エフティーエル
代理人 (1件)： 村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-303544
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121390
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】燐又はヒ素を高濃度に非酸化、非汚染でシリコンウエハに拡散ドープする方法を提供する。【解決手段】熱処理部1a及び待機部1bとその内部でシリコンウエハ5を保持する冶具31を備える加熱炉1並びに熱処理部1a外に設けられ、不純物をその沸点又は昇華点以上に加熱する加熱手段20と逆流防止手段52と弁28からなる管体51とで構成される装置において、弁28を閉鎖し、開閉手段2a及び31aを開放して真空排気の上ウエハを待機部1bから熱処理部1aに冶具31により移動する。開閉手段2a、31aを閉鎖し、弁28を開いて加熱手段20で昇華した燐又はヒ素の蒸気を熱処理部1aに送入し拡散ドープする。

請求項（抜粋）：

りん及びひ素からなる群の少なくとも1種を不純物として1枚又は複数枚の半導体シリコンウェーハに拡散する工程を含む半導体装置の製造方法において、反応管を内装した加熱炉と、前記加熱炉内に形成された均熱空間内に位置し、かつ半導体シリコンウェーハに不純物を付着させもしくは拡散熱処理をする熱処理部と、前記反応管内に形成された待機部と、前記半導体シリコンウェーハを前記反応管内で移動させかつ前記熱処理部に保持する治具と、前記熱処理部外に設けられかつ前記不純物をその沸点又は昇華点以上に加熱する加熱手段と、該加熱手段と前記熱処理部の間にて前記均熱空間を経て延在して不純物ガス流を前記熱処理部に案内する管体と、前記均熱空間内に位置する部分において前記管体に付設された逆流防止手段と、該逆流防止手段と前記加熱手段の中間において該管体に付設された弁と,前記熱処理部と前記待機部を相互に開放して導通させあるいは相互間を遮断する開閉手段とを有する装置を使用し、前記弁を閉鎖しかつ前記開閉手段を開放して前記反応管内部から前記弁までの前記管体を真空排気し、前記待機部から前記熱処理部に半導体シリコンウェーハを前記治具を用いて移動させ、その後前記弁を開放しかつ前記開閉手段を閉鎖して前記加熱手段で発生した不純物蒸気を前記熱処理部内に送入し、続いて、前記熱処理部内のガス圧を前記待機部より相対的に高く保ちつつ該熱処理部に保持された半導体シリコンウェーハと不純物蒸気を接触させ、その後前記開閉手段を開放して該半導体シリコンウェーハを前記加熱炉から治具とともに取出すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22

FI (4件)：

H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/22 511 H ,  H01L 21/22 511 J