特許

J-GLOBAL ID：200903041680359931

接続孔の形成方法

発明者： 江崎 孝之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-130721
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321723
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 フォトリソグラフィの解像限界を超えた微細な接続孔を自己整合的に形成する。【解決手段】 四方をダミー配線パターン2x,2yに囲まれたスペース内で絶縁膜5に接続孔5hを開口する場合、上記スペース内において絶縁膜5に傾斜面を発生させた上でネガ型フォトレジスト膜6を成膜する。このスペース内にフォトマスクの遮光膜パターン12に対応する遮光領域を設定して露光を行うと、遮光領域の周辺部に絶縁膜5の傾斜面やサイドウォール4からの直接または多重反射光が取り込まれる。この結果、設計上の遮光範囲の幅W1に比べて狭い幅W2の範囲が可溶部6sとして残る。このネガ型フォトレジスト膜6を現像して幅W2の開口を形成し、これをマスクとして絶縁膜5を異方性エッチングすれば、幅W2の微細な接続孔5hが形成できる。

請求項（抜粋）：

基板上に所定のスペースを隔てて配された複数の下地材料膜パターンを、該下地材料膜パターンに起因する表面段差を反映する絶縁膜で被覆する第1工程と、基体の全面をネガ型フォトレジスト膜で被覆する第2工程と、前記スペース内に所定の遮光範囲を設定し、前記表面段差に起因する反射光を該遮光範囲の周辺部に取り込みながら前記ネガ型フォトレジスト膜を露光する第3工程と、前記ネガ型フォトレジスト膜を現像することにより、前記遮光範囲の幅よりも狭い開口を有するレジスト・パターンを形成する第4工程と、前記開口内において前記絶縁膜を加工することにより接続孔を形成することを特徴とする接続孔の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/30 562