特許
J-GLOBAL ID：200903041686534743
結晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184162
公開番号（公開出願番号）：特開平5-009089
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：
【要約】【構成】 絶縁物基体上に決められた範囲内の大きさを有する島状の非単結晶半導体薄膜をパターニングし、この半導体薄膜をランプ加熱による一括処理によって一旦溶融したのち再結晶させ、ここに得られる単結晶を種結晶として結晶を成長させる。【効果】 レーザー等のビームアニールを使用しないので、高い生産性が達成でき、また最初にパターニングする島状半導体膜の面積の「バラツキ」に対する依存性も極めて少なく、安定して結晶が得られる。
請求項（抜粋）：
非晶質絶縁物基体もしくは表面に非晶質絶縁物層を堆積した基体上に島状の半導体薄膜を設ける工程と、この半導体薄膜をランプ加熱による熱処理によって一旦溶融し、ついで再結晶化させることにより単一体の単結晶へ変化させる工程と、生成した単結晶を種結晶として半導体単結晶を成長させる工程とを具備することを特徴とする結晶の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 1/02
, H01L 21/20
, H01L 21/205
