特許

J-GLOBAL ID：200903041687978947

光発電素子の形成方法

発明者： 三村 敏彦 ,  高田 健司 ,  藤崎 達雄 ,  都築 幸司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-120125
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334203
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、機械的強度が大きく、且つ低抵抗な集電電極を有する光発電素子を安定して形成できる光発電素子の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 光発電素子の電極形成面(光電変換層または透明導電層)に少なくとも2層以上の導電層からなる直線状集電電極を有す光発電素子の形成方法において、前記電極形成面に導電ペーストを用いて直線状パターンの第1の導電層を形成し、続いて該第1の導電層に対し濡れ性を有し且つ前記電極形成面に対しては濡れ性の無い低融点金属を用い、前記直線状パターンより幅広の第2の導電層を形成した後、前記直線状パターンの長手方向に傾斜を付けた状態で前記第2の導電層を加熱溶融して、均一形状の低融点金属層を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

光発電素子の電極形成面(光電変換層または透明導電層)に少なくとも2層以上の導電層からなる直線状集電電極を有す光発電素子の形成方法において、前記電極形成面に導電ペーストを用いて直線状パターンの第1の導電層を形成し、続いて該第1の導電層に対し濡れ性を有し且つ前記電極形成面に対しては濡れ性の無い低融点金属を用い、前記直線状パターンより幅広の第2の導電層を形成した後、前記直線状パターンの長手方向に傾斜を付けた状態で前記第2の導電層を加熱溶融して、均一形状の低融点金属層を形成することを特徴とする光発電素子の形成方法。