特許

J-GLOBAL ID：200903041693182429

気相成長方法及び装置

発明者： 松本 功 ,  石原 良夫 ,  岡田 陽子
出願人/特許権者： 日本酸素株式会社
代理人 (1件)： 木戸 一彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187610
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032169
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 横型気相成長装置でモノシランを原料として用いた場合でも、8インチ以上の大口径の基板に均一な気相成長膜を形成することができる気相成長方法及び装置を提供する。【解決手段】 所定速度で回転する基板面に対して平行な方向に気相成長ガスを導入し、該基板面に気相成長膜を形成するにあたり、前記基板面における気相成長速度(成膜速度)を制御する制御ガスを基板外周部に向けて導入する。

請求項（抜粋）：

所定速度で回転する基板面に対して平行な方向に気相成長ガスを導入し、該基板面に気相成長膜を形成する気相成長方法において、前記基板面における気相成長速度を制御する制御ガスを、前記気相成長ガスの流速以下の流速で基板の外周部に向けて導入することを特徴とする気相成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  C30B 25/14

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  C30B 25/14