特許

J-GLOBAL ID：200903041695673209

II-VI族化合物半導体結晶の成長方法

発明者： 藤原 伸介
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-081570
公開番号（公開出願番号）：特開平9-268100
出願日： 1996年04月03日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にボイドやクラックのない結晶性に優れたII-VI族化合物半導体結晶の成長方法を提供しようとするものである。【解決手段】 成長室中に原料多結晶を配置し、昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にII-VI族化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記種結晶の背面を平らに加工し、他方、結晶成長環境の下で種結晶と反応せず、昇華せず、ハロゲン化学輸送法においてはハロゲンと反応しない材料で種結晶保護材を作製し、その表面を平らに加工し、前記種結晶と前記種結晶保護材の加工面を隙間なく密着させて成長室内に配置することを特徴とするII-VI族化合物半導体結晶の成長方法である。

請求項（抜粋）：

成長室中に原料多結晶を配置し、昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にII-VI族化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記種結晶の背面を平らに加工し、他方、結晶成長環境の下で種結晶と反応せず、昇華せず、ハロゲン化学輸送法においてはハロゲンと反応しない材料で種結晶保護材を作製し、その表面を平らに加工し、前記種結晶と前記種結晶保護材の加工面を隙間なく密着させて成長室内に配置することを特徴とするII-VI族化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (6件)：

C30B 29/48 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/365

FI (6件)：

C30B 29/48 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/365

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-129093
  
• 特開昭47-012058
  
• 特開平2-311392
  
• 特開平2-058840