特許
J-GLOBAL ID：200903041697172860
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-013040
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089869
出願日： 1991年01月10日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 浅いPN接合を形成することで良好な電圧-電流特性の半導体素子を製造することにある。【構成】 不活性な第一のイオンを注入して半導体表面に非晶質層を形成したのち、電気的に活性な第二のイオンを注入し熱処理することでPN接合を形成するものであって、非晶質層の領域外における第一のイオン濃度が残留結晶欠陥の形成しきい値濃度以下となるように第一のイオン注入を行うものである。
請求項（抜粋）：
不活性な第一のイオンを注入して半導体表面に非晶質層を形成した後、電気的に活性な第二のイオンを注入し熱処理することによってPN接合層を形成する半導体素子の製造方法において、前記非晶質層の領域外における前記第一のイオン濃度が残留結晶欠陥の形成しきい値濃度以下となるように、前記第一のイオン注入がなされることを特徴とする半導体素子の製造方法。
FI (3件)：
H01L 21/265 Q
, H01L 21/265 Z
, H01L 21/265 A
