特許

J-GLOBAL ID：200903041711752530

ケイ素系ハイブリツド材料

発明者： 岩原 孝尚 ,  安藤 紀芳 ,  米沢 和弥
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278290
公開番号（公開出願番号）：特開平5-085719
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、耐熱性、耐燃焼性に優れ、軽量高靱性で高い機械的強度と良好な成形加工性を有するケイ素系ハイブリッド材料及びその製造方法を提供するものである。【構成】 本発明は、(A)ケイ酸塩類及び/またはそれから誘導されるケイ酸類、(B)少なくとも2個のSiH基を有するケイ素化合物、(C)少なくとも2個のアルケニル基を有するケイ素化合物からなる系において、1.シラノレート基及び/またはシラノール基の関与する縮合反応、2.SiH基とアルケニル基とのヒドロシリル化反応、を同時進行的に行なわせて得られる、耐熱性、耐燃焼性、耐環境性に優れ、軽量高靱性で高い機械的強度と良好な成形加工性を有するケイ素系ハイブリッド材料である。

請求項（抜粋）：

(A)ケイ酸塩類及び/またはそれから誘導されるケイ酸類、(B)少なくとも2個のSiH基を有するケイ素化合物、(C)少なくとも2個のアルケニル基を有するケイ素化合物、からなる系において、1.シラノレート基及び/またはシラノール基の関与する縮合反応、2.SiH基とアルケニル基とのヒドロシリル化反応、を同時進行的に行なわせて得られることを特徴とするケイ素系ハイブリッド材料。

IPC (5件)：

C01B 33/20 ,  C01B 33/00 ,  C08K 3/34 ,  C08L 83/05 LRP ,  C08L 83/07