特許

J-GLOBAL ID：200903041713499416

半導体圧力測定装置とその製造方法

発明者： 渡辺 哲也 ,  加藤 曉之 ,  鈴木 良孝
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-239466
公開番号（公開出願番号）：特開2001-066208
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 安価で且つ精度、感度、過大圧特性が良好で、作製プロセスが安定で特性のばらつきが少ない、半導体圧力測定装置を提供する。【解決手段】 ダイアフラムの空隙室が設けられダイアフラムに測定圧が印加される半導体圧力測定装置において、第1の単結晶シリコン基板に半導体導体プロセスにより形成されたポリシリコン層と、ポリシリコン層に接して半導体プロセスにより形成された酸化シリコン膜層と、酸化シリコン膜層のに接して設けられポリシリコン層と酸化シリコン膜層と共にダイアフラムを構成する第2の単結晶シリコン基板と、第1の単結晶シリコン基板のに設けられポリシリコン層と空隙室を形成する凹部と、ダイアフラムに設けられた歪検出センサと、第1の単結晶シリコン基板の面あるいは第2の単結晶シリコン基板の面から空隙室に連通され空隙室と外部とを連通する導圧孔とを具備したことを特徴とする半導体圧力測定装置である。

請求項（抜粋）：

ダイアフラムの一面側に空隙室が設けられこのダイアフラムの他面側に測定圧が印加される半導体圧力測定装置において、第lの単結晶シリコン基板と、この第1の単結晶シリコン基板の一面に一面が接し半導体プロセスにより形成されたポリシリコン層と、このポリシリコン層の他面に一面が接し半導体プロセスにより形成された酸化シリコン膜層と、この酸化シリコン膜層の他面に一面が接して設けられ前記ポリシリコン層とこの酸化シリコン膜層と共にダイアフラムを構成する第2の単結晶シリコン基板と、前記第lの単結晶シリコン基板の一面側に設けられ前記ポリシリコン層と空隙室を形成する凹部と、前記ダイアフラムに設けられた歪検出センサと、前記第1の単結晶シリコン基板の他面あるいは前記第2の単結晶シリコン基板の他面から前記空隙室に連通されこの空隙室と外部とを連通する導圧孔とを具備したことを特徴とする半導体圧力測定装置。

IPC (3件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/22

FI (3件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/22 Z

Fターム (11件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE13 ,  2F055FF11 ,  2F055FF23 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG14 ,  2F055HH05