特許
J-GLOBAL ID:200903041716229355

3レベルインバータ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田澤 博昭 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-171548
公開番号(公開出願番号):特開平6-062582
出願日: 1992年06月08日
公開日(公表日): 1994年03月04日
要約:
【要約】【目的】 スナバ回路に蓄積されるエネルギの回収コンデンサの耐圧を低減し、エネルギの回収能率を上げ、その回収コンデンサおよびエネルギ回収回路を複数の相で共有可能にし、変成器のリセット時間を短縮する。【構成】 正負各アームのGTO1A〜1Dに並列接続したスナバダイオード6A〜6Dおよびスナバコンデンサ5A〜5Dの接続点と正負側各母線との間に回収コンデンサ9A,9Bを接続し、これらの各回収コンデンサ9A,9Bから取り出したエネルギを中間電位点で分割される直流電源4A,4Bに、エネルギ回生回路E1,E2によって回生させる。
請求項(抜粋):
中間電位点を有する直流電源の正負母線間に、正負アームとして直列接続された複数の自己消弧型半導体素子と、上記自己消弧型半導体素子の各々に逆並列接続されたフリーホイールダイオードと、上記正アームを構成する第1および第2の自己消弧型半導体素子の直列接続点と上記中間電位点とを接続する第1のクランプダイオードと、上記負アームを構成する第3および第4の自己消弧型半導体素子の直列接続点と上記中間電位点とを接続する第2のクランプダイオードと、上記正アームおよび負アームの接続点に接続された出力端子とを備えた3レベルインバータ装置において、上記正負各アームを構成する自己消弧型半導体素子に直列接続されたリアクトルと、上記各自己消弧型半導体素子に並列接続されたスナバダイオードとスナバコンデンサを直列接続してなるスナバ回路と、上記第2,第3の自己消弧型半導体素子に並列接続されて各一の上記スナバ回路を構成するスナバダイオードおよびスナバコンデンサの各接続点間に接続された放電抵抗と、上記第1の自己消弧型半導体素子に並列接続されて上記スナバ回路を構成するスナバダイオードおよびスナバコンデンサの接続点と上記正側母線とを接続する第1のダイオードおよび第1の回収コンデンサと、上記第4の自己消弧型半導体素子に並列接続されて上記スナバ回路を構成するスナバダイオードおよびスナバコンデンサの接続点と上記負側母線とを接続する第2のダイオードおよび第2の回収コンデンサと、上記第1の回収コンデンサからエネルギを取り出し、上記中間電位点で分割される上記直流電源の正側に回生する第1のエネルギ回生回路と、上記第2の回収コンデンサからエネルギを取り出し、上記中間電位点で分割される上記直流電源の負側に回生する第2のエネルギ回生回路とを設けたことを特徴とする3レベルインバータ装置。
IPC (2件):
H02M 7/515 ,  H02M 7/48

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