特許

J-GLOBAL ID：200903041716511786

半導体製造方法および装置

発明者： 武島 豊 ,  近藤 泰一 ,  田内 吉雄 ,  高瀬 博行
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-004702
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216097
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハの表面の清浄度を向上させる。【構成】 まず、酸化膜を形成するためのプロセスチャンバ4aにおいて、半導体ウエハ5の表面に酸化膜を形成する。続いて、酸化膜を除去するためのプロセスチャンバ4bにおいて、半導体ウエハ5上に形成された酸化膜を除去し、半導体ウエハ5の表面を清浄化する。その後、清浄化処理の施された半導体ウエハ5の置かれている雰囲気を不活性雰囲気に保ちながらエピタキシャル処理を行うプロセスチャンバ4cに半導体ウエハ5を移送し、半導体ウエハ5上にエピタキシャル層を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの表面に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を除去し、半導体ウエハの表面を清浄化する工程と、清浄化処理の施された半導体ウエハの置かれている雰囲気を不活性雰囲気に保ちながら次の処理に移行する工程とを有することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/68 ,  B08B 17/02