特許
J-GLOBAL ID：200903041721281314

プラズマ源及びこれを用いたイオン源並びにプラズマ処理装置

発明者：
小 倉 洋

小 倉 洋 について

, 
吉 田 善 一

吉 田 善 一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 蔵合 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-049420
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247598
出願日： 1997年03月04日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：
【要約】【目的】 CVD(化学蒸着)、エッチング、イオン源などに用いるプロセシングプラズマ処理装置において、大面積・高密度プラズマを実現させる。【構成】 誘電体14を挟んだ導体の平行平板からなり,少なくても一方が導入波長よりもかなり小さい径の小孔16を規則的に並べた多孔板15になっており,誘電体の中にマイクロ波22を伝搬させ,小孔から漏れ出たエバネセント波23で高密度で均一なプラズマ24を発生させる。これにより、大面積の基板32でも高速に均一に処理することができる.
請求項（抜粋）：
プラズマを発生するためのガスが到達するプラズマ生成室と、プラズマ生成室にガスを導入するガス導入手段と、前記プラズマ生成室に接して設けられた第1の導体と、第1の導体に対して前記プラズマ生成室とは反対側に前記第1の導体板と対向した設けられた第2の導体と、前記第1の導体板と第2の導体板との間に設けられた誘電体と、前記誘電体内に電磁波を伝送させる電磁波伝送手段とを備え、少なくとも前記第1の導体は前記電磁波の波長より短い径の開口を有し、前記開口を透過した電磁波が前記ガスに印加されることにより前記プラズマ生成室にプラズマを発生するプラズマ源。
IPC (8件)：
H05H 1/18 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01J 27/16 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/3065
FI (8件)：
H05H 1/18 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01J 27/16 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 D ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B
引用特許：
審査官引用 (3件)

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