特許

J-GLOBAL ID：200903041724846410

MSM型受光素子

発明者： 西片 一昭 ,  平山 祥之 ,  入川 理徳
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-356786
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188449
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 応答速度が向上したMSM型受光素子を提供する。【構成】 半導体層5上にショットキーメタル1を積層して形成したショットキー接合を有するMSM型受光素子において、半導体層5の少なくとも一部は歪み超格子5で構成し、該歪み超格子5は、光吸収層である面内圧縮歪みを持つ量子井戸層3と、非光吸収層である、前記量子井戸層3と同程度の面内引っ張り歪みを持つ量子障壁層4から構成する。

請求項（抜粋）：

半導体層上にショットキーメタルを積層して形成したショットキー接合を有するMSM型受光素子において、半導体層の少なくとも一部は歪み超格子から構成され、該歪み超格子は、光吸収層である面内圧縮歪みを持つ量子井戸層と、非光吸収層である、前記量子井戸層の歪みと同程度の面内引っ張り歪みを持つ量子障壁層から構成されていることを特徴とするMSM型受光素子。