特許

J-GLOBAL ID：200903041726343474

結晶成長方法

発明者： 松宮 康夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-344581
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175145
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】本発明は、化合物半導体の結晶成長技術のうち、原料ガスの交互供給を行う原子層エピタキシー法を用いた結晶成長方法に関し、III -V族化合物半導体結晶を原子層エピタキシー法を用いて成長させる際に、原料ガスの利用効率を向上させた結晶成長方法を提供することを目的とする。【構成】III 族の原料ガスとV族の原料ガスとを交互に供給して、半導体基板表面にIII -V族化合物半導体結晶を成長させる原子層エピタキシー法を用いた結晶成長方法において、結晶成長時に前記半導体基板表面に流れる前記V族の原料ガスの線速度を前記III 族の原料ガスの線速度よりも遅くするように構成する。

請求項（抜粋）：

III 族の原料ガスとV族の原料ガスとを交互に供給して、半導体基板表面にIII -V族化合物半導体結晶を成長させる原子層エピタキシー法を用いた結晶成長方法において、結晶成長時に前記半導体基板表面に流れる前記V族の原料ガスの線速度を前記III 族の原料ガスの線速度よりも遅くすることを特徴とする結晶成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/52 ,  C30B 23/02 ,  C30B 25/14