特許
J-GLOBAL ID：200903041727368349
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-275741
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121683
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】過電流検知回路を備えたパワートランジスタの集積回路において、過電流検知用に別個のシャント抵抗を設ける必要がなく、主電流路の抵抗増加を抑制することの出来る半導体集積回路を提供する。【解決手段】半導体チップ302を実装しようとする場合に必ず必要となるボンディングワイヤ317を過電流検知回路の検出抵抗として用いる。このように構成すれば、新たにシャント抵抗を主電流路に直列に挿入する必要がないため、半導体集積回路全体のオン抵抗を増大させることがなく、また複雑な製造工程を必要とするという問題も解決することができ、かつシャント抵抗分だけ集積回路の面積を小さくできる。
請求項（抜粋）：
外部の負荷を駆動するパワートランジスタと、前記パワートランジスタに流れる電流、もしくはそれに比例した電流が流れる検出抵抗と、前記検出抵抗の両端に生じた電位差を検出し、該電位差が所定の値以上になった場合に前記パワートランジスタをオフにする制御手段と、を備えた半導体集積回路であって、前記検出抵抗として、前記半導体集積回路を形成した半導体チップと実装部材の接続部とを接続するボンディングワイヤを用いたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件)：
H01L 23/58
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 23/56 C
, H01L 27/04 F
