特許
J-GLOBAL ID：200903041728967424
静電気保護装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-167861
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013563
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】相補型MOS半導体装置において、信号入力端子もしくは信号出力端子の静電気に対し保護を行い、高電圧、大電流に対して内部回路を保護する。【構成】MOSトランジスタのドレインを入出力端子に接続するコンタクトホール群と外周にある不純物領域を電源端子に接続するコンタクトホール群の対向して配置される部分の長さが100μm以上とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板表面に形成された前記第1導電型とは逆の導電型の第2導電型のウエル領域と第1導電型の第1領域と前記ウエル領域表面に形成され接地端子に第1コンタクトホール群で接続された第1導電型のソース領域と前記ウエル領域表面に形成され入力端子または出力端子に第2コンタクトホール群で接続された第1導電型のドレイン領域及び接地端子に接続されたゲートからなるMOSトランジスタであって、前記MOSトランジスタの外周の少なくとも一辺に前記第1領域が電源端子に第3コンタクトホール群で接続され、前記第2コンタクトホール群と第3コンタクトホール群の対向する部分の長さが100μm以上であることを特徴とする静電気保護装置。
IPC (2件)：
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