特許
J-GLOBAL ID：200903041735786524
欠陥検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
立石 篤司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-239715
公開番号（公開出願番号）：特開平10-062149
出願日： 1996年08月22日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 試料に形成されたパターンの欠陥を高速かつ高精度に検査できるようにする。【解決手段】 電子銃12から放射状に放出される電子線をコンデンサレンズ14,16で光軸AXに平行なビームに変換し、マスク18に照射することにより孔18Aを通過して複数のマルチビームMBが形成される。このマルチビームMBは、偏向器20,22で偏向されつつ、電磁レンズ24,26で1/2に縮小されて試料30上に照射される。電磁レンズ24,26は、クロスオーバーCO位置を中心として光軸AX方向の対称位置に配置した対称磁気タブレット型レンズであるため、レンズの収差が互いに打ち消し合って低収差となり、ビームを細く収束させることができる。このビームを使って試料30上を走査することにより、高速かつ高精度に欠陥検査が行われる。
請求項（抜粋）：
パターンが形成された試料に荷電粒子線を照射し、前記試料からの荷電粒子線を検出して前記パターンの欠陥を検査する欠陥検査装置であって、前記荷電粒子線を複数形成する荷電粒子線形成手段と;前記複数の荷電粒子線が形成される位置と前記試料との間を所定の縮小比で案分した位置であるクロスオーバー位置を中心として前記縮小比に対応した光軸方向位置にそれぞれ配置された相似形の2つの電子レンズから成る対称磁気タブレット型の荷電粒子線光学系と;前記荷電粒子線光学系から前記試料に照射された前記複数の荷電粒子線によって前記試料から発生した荷電粒子線を検出する検出手段とを備えていることを特徴とする欠陥検査装置。
IPC (5件)：
G01B 15/00
, G01N 21/88
, G01N 23/18
, H01L 21/66
, H01J 37/22 502
G01B 15/00 B
, G01N 21/88 E
, G01N 23/18
, H01L 21/66 J
, H01J 37/22 502 H
