特許

J-GLOBAL ID：200903041737574052

半導体薄膜の製造方法及び半導体薄膜の製造装置

発明者： 水谷 匡希 ,  谷川 功 ,  庄司 辰美 ,  西田 彰志 ,  岩根 正晃
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 西山 恵三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-342963
公開番号（公開出願番号）：特開2000-169292
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月20日
要約：

【要約】【課題】 液相成長方法で半導体薄膜を形成する際に、簡便な方法で金属溶媒を基板表面から除去する。また、溶液に基板を浸漬する際の衝撃により溶液中に結晶核が成長してしまい、膜質に悪影響を及ぼすという問題点を解決する。それにより、十分に均一な膜厚・膜質の半導体薄膜を得る。【解決手段】 半導体材料を含有する溶液に基板を浸漬し、該基板上に半導体薄膜を成長させる半導体薄膜の製造方法において、前記基板を前記溶液表面に対して斜めに保持しつつ、該溶液に出し入れする。また、半導体薄膜の製造装置において、基板保持部材が基板を前記溶液表面に対して斜めに保持する。

請求項（抜粋）：

半導体材料を含有する溶液に基板を浸漬し、該基板上に半導体薄膜を成長させる半導体薄膜の製造方法において、前記基板を前記溶液表面に対して斜めに保持しつつ、該溶液に出し入れすることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 19/00 ,  H01L 21/208

FI (2件)：

C30B 19/00 Z ,  H01L 21/208 D

Fターム (47件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077BE36 ,  4G077BE41 ,  4G077BE43 ,  4G077BE47 ,  4G077BE48 ,  4G077CG02 ,  4G077CG03 ,  4G077ED06 ,  4G077EG01 ,  4G077EG13 ,  4G077EG14 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA06 ,  4G077QA54 ,  4G077QA66 ,  4G077QA68 ,  4G077QA70 ,  4G077QA71 ,  5F053AA03 ,  5F053AA13 ,  5F053BB52 ,  5F053BB53 ,  5F053BB54 ,  5F053DD01 ,  5F053DD04 ,  5F053DD05 ,  5F053DD07 ,  5F053DD15 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053HH10 ,  5F053LL01 ,  5F053LL02 ,  5F053LL04 ,  5F053LL05 ,  5F053LL06 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F053PP20 ,  5F053RR01 ,  5F053RR13