特許
J-GLOBAL ID：200903041737740904
アクティブマトリックス液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-129126
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120498
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、液晶容量の変化を生じても常に安定した値の実効印加電圧を与えることができ、残像やフリッカー発生の問題をなくしたアクティブマトリックス液晶表示装置の提供を目的とする。【構成】 本発明は、走査電極線と画素電極の少なくとも一方の周囲に絶縁層が形成され、走査電極線と画素電極の周囲に、走査電極線と画素電極の少なくとも一方と接続し、残りの一方に対し絶縁層を介して隣接する変質層が形成されるとともに、前記変質層が光の照射によって導体化する半導体層から構成されてなる。ものである。【効果】 本発明によれば、アクティブマトリックス液晶表示素子にバックライトなどから出された光が照射されると、変質層が導体化して画素電極と信号電極線との間に絶縁層が介在された状態となり、この部分に容量が形成される。この容量形成により、液晶の諧調変化に伴う容量変化の影響を少なくすることができ、液晶交流駆動時の電圧シフト量を少なくすることができる。
請求項（抜粋）：
走査電極線と信号電極線とがマトリックス状に配線され、これらの走査電極線と信号電極線とによって区切られた部分に薄膜トランジスタからなるスイッチ素子と画素電極とが設けられ、画素電極が交流駆動されるアクティブマトリックス液晶表示装置において、走査電極線と画素電極の少なくとも一方の周囲に絶縁層が形成され、走査電極線と画素電極の周囲に、走査電極線と画素電極の少なくとも一方と接続し、残りの一方に対し絶縁層を介して隣接する変質層が形成されるとともに、前記変質層が光の照射によって導体化する半導体層から構成されてなることを特徴とするアクティブマトリックス液晶表示装置。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
