特許

J-GLOBAL ID：200903041748269227

半導体装置の耐熱電極およびその製造方法

発明者： 中尾 俊二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-297314
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135547
出願日： 1997年10月29日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 300°Cから450°Cの熱処理に対して耐熱性があり、パッド部のAu剥がれを防止する。【解決手段】 本発明の耐熱電極は半導体チップ1上に形成された絶縁膜13およびメタルシリサイド層11の上に形成したものであって、第1のTi薄膜層14aからなる密着メタルと、第1のTi薄膜層14aの上に形成したTiN薄膜層15からなるバリアメタル層と、TiN薄膜層15の上に形成した第2のTi薄膜層14bからなる密着メタル層と、第2のTi薄膜層14bの上に形成したAu薄膜層16との積層からなっている。Au薄膜層16の上には、Auからなる配線2、3ならびにパッド4、5を備えている。第2のTi薄膜層14bとAu薄膜層16との間にTiAu合金層を有し、また、第1のTi薄膜層14aとTiN薄膜層15との間にTiXNY薄膜層を介在し、また第2のTi薄膜層14bとTiN薄膜層15との間にTiXNY薄膜層を介在させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子上に形成したメタルシリサイドおよび/又は絶縁膜上に、第1のTi薄膜と、TiN薄膜と、第2のTi薄膜と、Au薄膜との積層を有することを特徴とする半導体装置の耐熱電極。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 604 N