特許
J-GLOBAL ID:200903041755002597

光ポンピングされるレーザーミニキャビティ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅村 皓 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-336238
公開番号(公開出願番号):特開平5-251795
出願日: 1992年12月16日
公開日(公表日): 1993年09月28日
要約:
【要約】【目的】 レーザーキャビティの側面のエッジを鋭いものにできるような構造にすることにより光損失を少なくする。【構成】 本発明の光ポンピングされるレーザーミニキャビティは、2つの研磨される平行な側面(6,8)を有する、電気絶縁性の平行六面体の固体エミッタ(1b)、単結晶基板(2)、及び、この基板上にエピタクシ成長させられる、該側面と同じ方向に該基板と同じ硬度を有する幾つかの単結晶層を備える。これら層の1つは、エミッタから放出される光とポンピング光とを案内できる案内層(4)を構成し、そして他の層(12)は非案内保護層を構成する。保護層と基板とは、該側面に直角なエミッタの2つの対向する面を構成する。レーザー活動イオンが基板及び/又は1つの層の中に含まれる。内部キャビティの場合、エミッタの該側面に半反射ミラー(9,10)が設置される。
請求項(抜粋):
光ポンピングされるレーザーミニキャビティにおいて、2つの研磨された平行な側面(6,8)を備え且つ電気絶縁性であり更に案内構造を有する平行六面体の固体エミッタ(1a,1b)、単結晶基板(2)、及び、該基板上にエピタクシ成長し且つ該面と平行な方向に該基板の硬度と同等な硬度を有する幾つかの単結晶層(4,12,14)を有し、該基板と該エピタクシ成長層とは非劈開性であり、それら層の1つは案内層(4,14)を構成し、この案内層は、該エミッタから放出される光とポンピング光とを案内でき、そして隣接材料(2,4,12)の屈折率と、非案内保護層を構成する他の追加の層(12)の屈折率とより大きい屈折率を有し、該保護層と該基板とは該エミッタの該側面に直角な2つの対向する面を構成し、レーザー活動イオンが該基板及び/又は該エピタクシ成長層の1つの中に含まれている、レーザーミニキャビティ。
IPC (2件):
H01S 3/06 ,  H01S 3/094
引用特許:
審査官引用 (18件)
  • 特開平3-185772
  • 特開昭55-080383
  • 特開昭54-100986
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