特許

J-GLOBAL ID：200903041761772752

熱電変換装置

発明者： 松原 千彰 ,  カビル ムハマド エナムル
出願人/特許権者： 株式会社安川電機
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-378950
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179274
出願日： 2001年12月12日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】生産コストが安価で、かつ熱変換効率の高い熱電変換装置を得る。【解決手段】本発明の熱電変換装置は、P型半導体とN型半導体を交互に複数個配置した熱電変換素子群1と、この熱電変換素子群に固定した熱交換手段とからなり、熱電変換素子群は、P型半導体、放熱側の熱伝導板5、N型半導体、吸熱側の熱伝導板の順に繰り返して積層し、積層方向の両端に設けた電極2とともに押圧手段にて固定したものである。また、押圧手段は、熱電変換素子群と電極とを略中央部に設けたシャフト10によりねじ締めしたものである。また、放熱側の熱伝導板を放熱側熱交換手段に、吸熱側の熱伝導板を吸熱側熱交換手段にそれぞれ接続したものである。

請求項（抜粋）：

P型半導体とN型半導体を交互に複数個配置した熱電変換素子群と、前記熱電変換素子群に固定した熱交換手段とからなる熱電変換装置において、前記熱電変換素子群は、P型半導体、放熱側の熱伝導板、N型半導体、吸熱側の熱伝導板の順に繰り返して積層し、積層方向の両端に設けた電極とともに押圧手段にて固定したことを特徴とする熱電変換装置。

IPC (3件)：

H01L 35/30 ,  H01L 35/32 ,  H02N 11/00

FI (3件)：

H01L 35/30 ,  H01L 35/32 A ,  H02N 11/00 A