特許

J-GLOBAL ID：200903041764611652

GaN系結晶基材およびその製造方法

発明者： 岡川 広明 ,  大内 洋一郎 ,  宮下 啓二 ,  谷口 浩一 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293066
公開番号（公開出願番号）：特開平11-130598
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：

【要約】【課題】 マスク層上に成長するGaN系結晶の厚みをより薄くする製造方法を提供し、それによってマスク上に形成されたGaN系結晶の薄膜を有するGaN系結晶基材を提供すること。【解決手段】 ベース基板1上に、マスク領域12と非マスク領域11とを形成するようにマスク層を設け、下記条件の下に、非マスク領域を出発点として、マスク層上を覆うまでGaN系結晶を成長させる。?@マスク層の形成パターンを、マスク領域と非マスク領域との境界線の方向が、〈1-100〉方向に伸びる直線を有するパターンとし、?AMOCVDを用い、?Bその時の雰囲気ガスを、N2リッチなガスとする。

請求項（抜粋）：

GaN系結晶がC軸を厚み方向として成長可能なベース基板面の一部または全部の領域に、マスク領域と非マスク領域とを形成するようにマスク層を設け、マスク層の材料をそれ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料とし、?@マスク層の形成パターンを、マスク領域と非マスク領域との境界線の方向が、基板上に形成されるGaN系結晶に対して〈1-100〉方向に伸びる直線を有するパターンとし、?AGaN系結晶を成長させる方法を、MOCVDとし、?B上記?AのMOCVDによってGaN系結晶を成長させるときの雰囲気ガスを、N2 リッチなガスとし、非マスク領域を出発点として、マスク層上を覆うまでGaN系結晶を成長させることを特徴とする、GaN系結晶基材の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18