特許
J-GLOBAL ID：200903041769533978
プラズマ測定方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-004151
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216081
出願日： 1993年01月13日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 適用されるプラズマ処理装置の大型化を招くことなく,しかもプラズマの状態の現場における直接測定を行い得るプラズマ測定方法及びその装置。【構成】 マイクロ波のプラズマによる反射波と導入波との位相差とプラズマの状態を示す電子密度との対応関係X1 及び反射波に対する導入波の反射率とプラズマの状態を示すECR領域の位置との対応関係X2 を予めメモリ5に記憶しておき,導波管4中に入射される反射波と導入波との位相差及び反射波の導入波に対する反射率を測定器6により測定し,この測定値とメモリ5に記憶された対応関係X1 ,X2 とに基づいてプラズマ中の電子密度及びECR領域の位置を演算器7により演算するように構成されている。上記構成により適用されるプラズマ処理装置の大型化を招くことなく,しかもプラズマの状態の現場における直接測定を行い得るプラズマ測定方法及びその装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
磁場を印加した真空容器内に処理ガスとマイクロ波とを導入し,上記磁場と,上記マイクロ波により生じる電場との相互作用によって起こる電子サイクロトロン共鳴現象を用いて上記処理ガスをプラズマ化した時の該プラズマの状態を測定するプラズマ測定方法において,上記マイクロ波のプラズマによる反射波と導入波との位相差データと,該プラズマの状態を示す電子密度との対応関係を予めメモリに記憶しておき,上記マイクロ波の導波経路中に入射される反射波と導入波との位相差データを測定し,上記測定された位相差データと上記メモリに記憶された上記対応関係とに基づいて上記プラズマ中の電子密度を演算してなることを特徴とするプラズマ測定方法。
IPC (2件)：
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