超微粒低抵抗スズドープ酸化インジウム粉末とその製法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：広瀬章一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293931
公開番号（公開出願番号）：特開平5-201731
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年08月10日
要約：

【要約】【目的】超微粒低抵抗スズドープ酸化インジウム粉末とその製法を提供する。【構成】塩化インジウムおよび塩化スズの混合水溶液とアンモニウム炭酸塩とを混合し、温度5°C〜95°C、最終pH2〜8の条件下でインジウムとスズの水酸化物を共沈させ、該沈殿を加熱分解をすることにより、組成比Sn/Inが0.005〜0.3であり、比表面積(BET値)が10m2/g以上、比抵抗が70Ωcm以下であって、不純物の塩素が0.1%以下、ナトリウムおよびカリウムが10ppm以下、遊離のインジウムおよびスズが10ppm以下である超微粒低抵抗スズドープ酸化インジウム粉末(ITO粉末)を得る。【効果】上記ITO粉末は、粒径が0.08μm以下、好ましくは0.03μm以下の超微粒子であり、しかも比抵抗が70Ωcm以下、好ましくは15Ωcm以下の高導電性を有するので、この粉末を分散させた樹脂や塗料は優れた透明性および導電性を有し、変色などの経時変化のない樹脂や導電性塗膜が得られる。

請求項（抜粋）：

組成比Sn/Inが0.005〜0.3であり、比表面積(BET値)が10m2/g以上、比抵抗が70Ωcm以下であって、不純物の塩素が0.1%以下、ナトリウムおよびカリウムが10ppm以下、遊離のインジウムおよびスズが10ppm以下である超微粒低抵抗スズドープ酸化インジウム粉末。

IPC (5件)：

C01G 15/00 , H01B 1/00 , H01B 1/08 , H01B 1/14 , H01B 5/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-215318
特開昭64-087519
特開平3-054114

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