特許

J-GLOBAL ID：200903041776289837

半導体装置およびその製造方法

発明者： 上野 修一 ,  井上 靖朗 ,  白畑 正芳
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-193037
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031264
出願日： 1998年07月08日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 絶縁性が高く、微細化に適し、さらにリーク電流を抑制することのできるトレンチ分離を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 トレンチ分離が形成される溝2の内部で、半導体基板1とCVDシリコン酸化膜4との間に、密度の小さいポリシリコン膜3を形成し、その結晶構造を変化させることによって、熱処理の際に半導体基板1とCVDシリコン酸化膜4の間に発生するメカニカルストレスを吸収させる。

請求項（抜粋）：

主表面に溝を有する半導体基板と、前記溝内の前記半導体基板の表面上に形成されたポリシリコン膜と、前記ポリシリコン膜の表面上に前記溝内を埋め込んで形成されたCVDシリコン酸化膜と、前記半導体基板の主表面の前記溝に囲まれた活性領域に形成された素子とを備えた半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 D ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 681 D

Fターム (32件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA47 ,  5F032AA66 ,  5F032BB06 ,  5F032CA14 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA22 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F038AC09 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F083AD22 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083GA30 ,  5F083JA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40