特許
J-GLOBAL ID：200903041777470330
基板処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-389071
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188163
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 高純度のオゾンを効率的かつ安全に供給する。【解決手段】 ウエハ1を処理する処理室12と、酸素からオゾンを生成する複数のオゾナイザ29、36、43と、これらオゾナイザにそれぞれ接続されオゾナイザで生成されたオゾンを液化して液体オゾンを生成し液体オゾンを気化させて高純度オゾンを生成する複数の生成室21、22、23と、これら生成室で生成された高純度オゾンを処理室12に供給するオゾン供給配管50とを有する酸化膜形成装置10において、各生成室21、22、23は遮断弁61、63が介設された連絡配管60、62によってそれぞれ接続されている。【効果】 複数のオゾナイザで多量のオゾンを迅速に生成できる。液体オゾンを複数の生成室に別々に蓄積できるため、液体オゾンの蓄積の危険性を分散できる。生成室相互間の液体オゾンの蓄積量の差を連絡配管によって解消できる。
請求項（抜粋）：
基板を処理する処理室と、酸素からオゾンを生成する複数のオゾナイザと、これらオゾナイザにそれぞれ接続されオゾナイザによって生成されたオゾンを液化して液体オゾンを生成し、さらに、この液体オゾンを気化させて高純度オゾンを生成する複数の生成室と、これら生成室において生成された前記高純度オゾンを前記処理室に供給する供給配管とを備えている基板処理装置であって、前記各生成室は遮断弁を介してそれぞれ接続されていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 E
, C01B 13/10 Z
4G042CA01
, 4G042CB19
, 4G042CC23
, 4G042CE04
, 5F045AA20
, 5F045AB32
, 5F045EC08
, 5F045EE02
