特許
J-GLOBAL ID：200903041783265072

光電変換装置およびその製造方法

発明者：
室園 幹男

室園 幹男 について

, 
日比野 武司

日比野 武司 について


出願人/特許権者：
株式会社クリーンベンチャー二十一

株式会社クリーンベンチャー二十一 について


代理人 (3件)： 石井 和郎 ,  河崎 眞一 ,  仲 晃一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-208877
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027497
出願日： 2005年07月19日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】支持体の各凹部内に球状光電変換素子を収容する方式の光電変換装置において、所定位置に素子を正確、かつ確実に固定するとともに、素子の半導体と導電体層間を低抵抗で電気的接続ができる製造法を提供する。【解決手段】球状の第1半導体を被覆する第2半導体層の一部から露出させた面に電極を形成した素子を用いる。この素子を、導電性支持体の凹部の底にある孔の縁部に導電性接着剤を塗布し、電極が支持体の裏側に臨むように装着する。次に、支持体の裏面側に、電気絶縁層および導電性金属シートを接合し、電気絶縁層および金属シートに孔をあけて電極を露出させ、そこに導電性ペーストを充填する。こうして各素子の電極を並列に接続した光電変換装置を作成する。【選択図】図9B
請求項（抜粋）：
(1)球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなり、前記第2半導体層が前記第1半導体の一部を露出させる開口部を有する複数のほぼ球状の光電変換素子を用意する工程、 (2)前記第1半導体の露出部に電極を形成する工程、 (3)前記光電変換素子を内部に配置するための隣接する複数の凹部を有し、前記凹部が底部に前記第2半導体層の開口部より大きいが前記光電変換素子より小さい孔を有する導電性の支持体を用意する工程、 (4)前記光電変換素子を、その第1半導体の露出部が前記孔から支持体の裏面側に臨むように、支持体の表面側から前記孔に嵌合して支持体に装着し、前記光電変換素子の第2半導体層を前記支持体に電気的に接続する工程、 (5)前記支持体の裏面側に、導電性金属シートおよび前記導電性金属シートと前記支持体とを隔離する電気絶縁層を接合する工程、 (6)前記支持体に接合された電気絶縁層および導電性金属シートに孔をあけて前記光電変換素子の電極を当該孔内に露出させる工程、および (7)前記孔に導電性ペーストを充填して前記電極と前記導電性金属シートとを電気的に接続する工程 を有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/042
FI (1件)：
H01L31/04 C
Fターム (9件)：
5F051AA02 ,  5F051BA14 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051DA01 ,  5F051EA17 ,  5F051EA20 ,  5F051GA03 ,  5F051GA11
引用特許：
出願人引用 (10件)
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