特許
J-GLOBAL ID：200903041786417973
半田付け方法及び半田付け基材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹安 英雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090483
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286542
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【解決手段】 銅を主成分とする素地の表面にニッケル皮膜層を形成し、当該ニッケル皮膜層の表面に、金、銀、パラジウム又は錫の薄層を形成して半田付け基材とし、錫-亜鉛系半田で前記半田付け基材を半田付けする。【効果】 銅を主体とする基材に対して錫-亜鉛系半田を良好に接合することができると共に、接合後に高温雰囲気下に放置した状態において、銅の拡散を抑制して銅-亜鉛化合物層の成長を阻止し、銅と化合物層との強度差に基づく亀裂の発生などを防止することができる。
請求項（抜粋）：
銅を主成分とする素地の表面にニッケル皮膜層を形成し、当該ニッケル皮膜層の表面に、金、銀、パラジウム又は錫の薄層を形成して半田付け基材とし、錫-亜鉛系半田で前記半田付け基材を半田付けすることを特徴とする、半田付け方法
Fターム (2件)：
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