多孔質シリカ凝集体の細孔径制御方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：木下實三 (外2名) , 木下實三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-328866
公開番号（公開出願番号）：特開2001-146414
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】多孔質シリカ凝集体の細孔分布のピークを2〜50nmのメソポア域に簡便に制御できる多孔質シリカ凝集体の細孔径制御方法を提供すること。【解決手段】所望の細孔分布のピークに基づき、シリカ原料、石灰原料を選択する原料選択ステップS1と、ステップS1で選択された各原料を配合した際のCaO/SiO2モル比を0.4〜1.2の範囲で設定するモル比設定ステップS2と、ステップS2で設定されたモル比に基づき水熱反応処理を行う際の反応温度を80〜230°Cの範囲、反応時間を1〜24時間の範囲で設定する反応条件設定ステップS3とを備え、これらの設定に基づいて水熱反応処理を行いケイ酸カルシウム水和物スラリーを生成させ、このスラリーに酸を加えてカルシウムを分離して多孔質シリカスラリーとし、これを乾燥して所望の細孔分布のピークを有する多孔質シリカ凝集体を得る多孔質シリカ凝集体の細孔径制御方法。

請求項（抜粋）：

多孔質シリカ凝集体の細孔分布のピークを2〜50nmの範囲に制御する多孔質シリカ凝集体の細孔径制御方法であって、所望の細孔分布のピークに基づいて、シリカ原料および石灰原料の出発原料を選択する原料選択ステップと、この原料選択ステップで選択されたシリカ原料および石灰原料を配合した際のCaO/SiO2モル比を0.4〜1.2の範囲で設定するモル比設定ステップと、このモル比設定ステップで設定されたモル比に基づいて水熱反応処理を行う際の反応温度を80〜230°Cの範囲および反応時間を1〜24時間の範囲で設定する反応条件設定ステップとを備え、前記各ステップの設定に基づいて前記水熱反応処理を行ってケイ酸カルシウム水和物スラリーを生成させ、このケイ酸カルシウム水和物スラリーに酸を加えてカルシウムを分離除去して多孔質シリカスラリーとし、この多孔質シリカスラリーを乾燥して所望の範囲の細孔分布のピークを有する多孔質シリカ凝集体を得ることを特徴とする多孔質シリカ凝集体の細孔径制御方法。

IPC (4件)：

C01B 33/12 , B01D 53/28 , B01J 20/10 , B01J 20/30

FI (4件)：

C01B 33/12 Z , B01D 53/28 , B01J 20/10 A , B01J 20/30

Fターム (48件)：

4D052AA08 , 4D052GA01 , 4D052GA04 , 4D052GB11 , 4D052GB12 , 4D052GB14 , 4D052GB16 , 4D052GB18 , 4D052GB19 , 4D052HA01 , 4D052HA05 , 4D052HA18 , 4G066AA17A , 4G066AA22A , 4G066AA22B , 4G066AA30A , 4G066AA34D , 4G066AA43A , 4G066AE01D , 4G066BA24 , 4G066BA26 , 4G066EA11 , 4G066FA05 , 4G066FA14 , 4G066FA20 , 4G066FA21 , 4G066FA33 , 4G066FA34 , 4G066FA37 , 4G072AA25 , 4G072BB15 , 4G072EE01 , 4G072GG03 , 4G072HH17 , 4G072JJ09 , 4G072LL04 , 4G072LL06 , 4G072LL07 , 4G072MM22 , 4G072MM31 , 4G072QQ16 , 4G072RR19 , 4G072RR20 , 4G072SS01 , 4G072TT08 , 4G072UU11 , 4G072UU15 , 4G072UU17

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭54-118400
特開昭60-081013
特開昭62-041712

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