特許

J-GLOBAL ID：200903041791732461

酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法

発明者： 芦沢 寅之助 ,  大槻 裕人 ,  吉田 誠人 ,  寺崎 裕樹 ,  倉田 靖 ,  松沢 純 ,  丹野 清仁 ,  桜田 剛史
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-349241
公開番号（公開出願番号）：特開平11-181404
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月06日
要約：

【要約】【課題】SiO2 絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。【解決手段】TEOS-CVD法等で作製したSiO2 絶縁膜を形成させたSiウエハを、原料に粒子径分布の中央値が0.3〜5μmの炭酸セリウムを使用して製造した酸化セリウムを含み、酸化セリウム粒子径の中央値が150〜600nmである酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーを含む酸化セリウム研磨剤で研磨する。

請求項（抜粋）：

粒子径の中央値が0.3〜5未満μmの炭酸セリウムを原料に用いて製造した酸化セリウム粒子を含有する酸化セリウム研磨剤。

IPC (4件)：

C09K 3/14 550 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622 ,  C01F 17/00

FI (4件)：

C09K 3/14 550 D ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 B ,  C01F 17/00 A