特許
J-GLOBAL ID：200903041801243081
メモリセル及びそのメモリセルを用いた記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-227940
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061456
出願日： 1992年08月04日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 少なくとも2ビットのデータを記憶させることができるメモリセル及びそのメモリセルを用いて記憶容量の増大を図ることができる記憶装置を提供する。【構成】 メモリセル8はMOSFET22からなり、MOSFETとして四種類の異なるオン抵抗値を有するものを用意し、各メモリセルには所定のオン抵抗値を有するMOSFETを形成する。メモリセルアレイの列方向に配置されたMOSFET22のソースは同一の接地電位線6に、ドレインは同一のビット線4に接続される。また、行方向に配置されたMOSFET22のゲートは、同一のワード線2に接続される。MOSFET22のソース・ドレイン間で発生する電位は、データ変換装置10によって2ビットのデータに変換される。
請求項（抜粋）：
少なくとも4つの異なる抵抗値を持ちうる電子回路の抵抗値を前記異なる抵抗値のうちの一に設定することにより設定した抵抗値に対応する情報を記憶することを特徴とするメモリセル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 433
, G11C 17/00 305
