特許
J-GLOBAL ID：200903041803731814

半導体装置およびその製造方法

発明者：
畠山 英樹

畠山 英樹 について

, 
伊藤 達也

伊藤 達也 について


出願人/特許権者：
株式会社フジクラ

株式会社フジクラ について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-136796
公開番号（公開出願番号）：特開2006-318943
出願日： 2005年05月10日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：
【課題】誘導素子を備えた半導体装置において、該誘導素子の表面粗さが導体損失に及ぼす影響を低減させ、Q値が高く、特性の優れた誘導素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置10は、少なくとも一面に電極を備えた基板と、該基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層12と、該絶縁樹脂層12上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電部と、前記絶縁樹脂層12および前記導電部を被覆する封止樹脂層14とを備えた半導体装置10であって、前記導電部の一部はインダクタ13aとして機能する部位を構成し、前記部位は、前記絶縁樹脂層12に設けた凹部16内に配され、該部位の表面と前記絶縁樹脂層12の表面とは略同一面をなすとともに、該部位の表面は平滑化されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも一面に電極を備えた基板と、 該基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層と、 該絶縁樹脂層上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電部と、 前記絶縁樹脂層および前記導電部を被覆する封止樹脂層とを備えた半導体装置であって、 前記導電部の一部はインダクタとして機能する部位を構成し、 前記部位は、前記絶縁樹脂層に設けた凹部内に配され、該部位の表面と前記絶縁樹脂層の表面とは略同一面をなすとともに、該部位の表面は平滑化されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320
FI (5件)：
H01L27/04 L ,  H01L23/12 501P ,  H01L23/12 B ,  H01L21/88 T ,  H01L21/88 K
Fターム (36件)：
5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ93 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033SS13 ,  5F033SS22 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033VV08 ,  5F033XX01 ,  5F033XX14 ,  5F033XX27 ,  5F038AZ04 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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