特許

J-GLOBAL ID：200903041805914835

耐還元性誘電体組成物

発明者： 原田 賢一 ,  横井 宏樹
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-214102
公開番号（公開出願番号）：特開平10-036170
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：

【要約】【課題】 Niを内部電極として使用することができ、還元性雰囲気中で焼成されても半導体化せず、しかも焼結性の点でも優れた耐還元性誘電体組成物を提供する。【解決手段】 下記の一般式、{Ba<SB>(1-x)</SB>Ca<SB>x</SB>}<SB>A</SB>{Ti<SB>(1-y)</SB>Zr<SB>y</SB>}<SB>B</SB>O<SB>3</SB>(但し、前記式中、1.00<A/B<1.02であり、0.05≦x≦0.15であり、0.01≦y≦0.25である)で示される主成分と共に、lL,mMn及びnG(但し、前記式中、LはPmを除くランタノイド元素の化合物のうちの少なくとも1種類の化合物であり、GはSiを主成分とするガラス形成酸化物であり、0<l<1.0mol%,0.1<m≦1.0mol%及び0≦n<0.05wt%である)からなる副成分を含有することを特徴とする耐還元性誘電体組成物。

請求項（抜粋）：

下記の一般式、{Ba<SB>(1-x)</SB>Ca<SB>x</SB>}<SB>A</SB>{Ti<SB>(1-y)</SB>Zr<SB>y</SB>}<SB>B</SB>O<SB>3</SB>(但し、前記式中、1.00<A/B<1.02であり、0.05≦x≦0.15であり、0.01≦y≦0.25である)で示される主成分と共に、lL,mMn及びnG(但し、前記式中、LはPmを除くランタノイド元素の化合物のうちの少なくとも1種類の化合物であり、GはSiを主成分とするガラス形成酸化物であり、0<l<1.0mol%,0.1<m≦1.0mol%及び0≦n<0.05wt%である)からなる副成分を含有することを特徴とする耐還元性誘電体組成物。

IPC (3件)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 343

FI (3件)：

C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 343

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-367561
  
• 特開平4-367561