特許

J-GLOBAL ID：200903041817952414

半導体集積装置

発明者： 森山 隆幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-346377
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182967
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体集積装置に関し、配線幅を広げることなく、カバレッジ率を向上する半導体集積装置を提供することを目的としている。【構成】 金属配線の配線層として2以上の配線層を使用する半導体集積装置であって、所定の配線層に配線した第1金属配線である電源配線LB1の下層配線層において第1金属配線である電源配線LB1の幅方向に第2金属配線である信号配線LA1,LA2を配線する場合、第1金属配線である電源配線LB1の下層部分の配線を所定長のポリ配線Py12とし、ポリ配線Py12の両端部を第2金属配線である信号配線LA1,LA2とコンタクト窓NA1,NA2を介して接続し、構成する。

請求項（抜粋）：

金属配線の配線層として2以上の配線層を使用する半導体集積装置であって、所定の配線層に配線した第1金属配線の下層配線層において該第1金属配線の幅方向に第2金属配線を配線する場合、該第1金属配線の下層部分の配線を所定長のポリ配線とし、該ポリ配線の両端部を該第2金属配線と接続してなることを特徴とする半導体集積装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/82 L