特許

J-GLOBAL ID：200903041821466249

電極形成のための転写方法および装置

発明者： 尾添 祥司
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-082826
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275107
出願日： 1996年04月04日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】 転写基板と半導体素子の熱膨張係数が異なる場合でも合わせズレを生じさせずに転写を行う。【解決手段】 Cuバンプ2が配列形成されたウェハ1をウェハ固定ツール10に固定し、はんだ4が配列形成された転写基板3を転写基板固定ツール20に固定する。次に、転写基板3とウェハ1を加熱し、転写基板3とウェハ1の熱膨張量が実質的に等しくなるように、転写基板3とウェハ1の温度を調節する。この温度調節を行った状態でウェハ1と転写基板3を位置合わせし、Cuバンプ2とはんだ4を当接させ、加圧する。この後、ウェハ1を引き上げれば、はんだ4がCuバンプ2に転写され、ウェハ1にフリップチップ電極が形成される。

請求項（抜粋）：

被転写材料(4)が配列形成された転写基板(3)とバンプ(2)が配列形成された半導体素子(1)とを加熱し、前記転写基板(3)と前記半導体素子(1)の熱膨張量が実質的に等しくなるように、前記転写基板(3)と前記半導体素子(1)の温度を調節する工程と、この温度調節された状態で前記被転写材料(4)と前記バンプ(2)とを位置合わせして、前記被転写材料(4)を前記バンプ(2)上に転写する工程とを有することを電極形成のための転写方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/92 604 F ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 602 D