特許
J-GLOBAL ID：200903041822812337
バンプ形成方法及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-223351
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069539
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【課題】 バンプ形成方法及び半導体装置に関し、バンプを低コストで形成するとともにバンプを用いた半導体装置の信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】 基板1に設けられた電極パッド3上に第1のバンプ8を形成する工程と、該基板1上を絶縁膜9で被う工程と、該第1のバンプの表面を露出させ、該絶縁膜と該第1のバンプとを平坦化する工程と、露出した第1のバンプ8の表面に第2のバンプ10を形成する工程を有するように構成する。
請求項（抜粋）：
基板に設けられた電極パッド上に第1のバンプを形成する工程と、該基板上を絶縁膜で被う工程と、該第1のバンプの表面を露出させ、該絶縁膜と該第1のバンプとを平坦化する工程と、露出した第1のバンプの表面に第2のバンプを形成する工程を有することを特徴とするバンプ形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 602 D
, H01L 21/92 602 L
