特許
J-GLOBAL ID：200903041824794280
露光方法及び露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 均 (外2名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999006201
公開番号（公開出願番号）：WO2000-028380
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2000年05月18日
要約：
【要約】転写用のパターンを拡大したパターンを複数枚のマスターレチクル(Ri)のパターン(Pi)に分割し、ブランクス(マスク基板)の表面に複数枚のマスターレチクル(Ri)のパターン(Pi)の投影光学系による縮小像を画面継ぎを行いながら順次投影露光する。マスターレチクル(Ri)のそれぞれには、該マスターレチクルを他のマスターレチクルから識別するための識別情報や転写位置等の情報を示すマーク(M1,M2)を形成し、露光処理前にこれらのマーク(M1,M2)を検出し、該マーク(M1,M2)が示す転写位置等の情報や識別情報に対応して予め記憶保持された当該マスターレチクルに関するレチクル情報(露光条件や各種補正値等)に従って露光処理を行う。複数のマスターレチクルを用いてワーキングレチクルを製造する場合における作業工数が低減され、作業ミスの発生を防止することができる。
請求項（抜粋）：
転写用のパターンを拡大したパターンを複数枚の親マスクのパターンに分割し、マスク基板の表面に複数枚の前記親マスクのパターンの投影光学系による縮小像を画面継ぎを行いながら順次投影露光する方法において、 前記親マスクのそれぞれに該親マスクを他の親マスクから識別するための識別情報を含むマークを形成し、 前記識別情報に対応して前記親マスクに関するマスク情報を予め記憶保持しておき、 露光処理前に該親マスクのマークを検出し、該マークが示す識別情報に対応するマスク情報に従って露光処理を行うことを特徴とする露光方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 B
, H01L 21/30 502 P
