特許

J-GLOBAL ID：200903041833024799

半導体発光素子の製法

発明者： 北岸 守
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015927
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216429
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 光の透過率の低いGaP基板を利用しないで、発光層形成部を成長した後、さらに別の工程でGaP層を液相成長することにより、外部への光の取出し効率を向上させ、GaP半導体を用いた緑色系の半導体発光素子の外部微分量子効率を向上させることができる半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】 GaP基板1に、GaPからなるn形層2およびp形層3の発光層形成部4を液相エピタキシャル成長する。そして、さらに別工程の第2の液相成長工程により発光層形成部4の上層の導電形、すなわちp形のGaP層からなる第2のエピタキシャル成長層5を厚く液相成長する。そして、その表面およびGaP基板1の裏面に電極6、7をそれぞれ形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

GaP基板に、GaPからなるn形層およびp形層を含む発光層形成部を液相成長法によりエピタキシャル成長し、さらに別工程で前記発光層形成部の上層の導電形のGaPからなる第2のエピタキシャル成長層を40μm以上の厚さ液相成長し、その表面および前記GaP基板の裏面に電極をそれぞれ形成することを特徴とする半導体発光素子の製法。

Fターム (4件)：

5F041AA03 ,  5F041CA37 ,  5F041CA63 ,  5F041CA77