特許

J-GLOBAL ID：200903041837849288

半導体製造方法及び半導体ウェハ

発明者： 田中 丈士 ,  高野 和人
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-193474
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032803
出願日： 2003年07月08日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】窒化物系化合物半導体エピタキシャル層を基板上へ形成する際に、その膜厚・組成・ドーピング濃度の面内均一性を向上させる技術を提供する。【解決手段】両面が凸状に反るよう又は中心部が外周部よりも厚くなるように研磨加工された炭化ケイ素、サファイア、窒化ガリウム、或いは窒化アルミニウム基板101を、窒化物系化合物半導体多層薄膜(102〜103)をエピタキシャル成長する為の基板として用いる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

両面が凸状に反るよう研磨加工された炭化ケイ素、サファイア、窒化ガリウム、或いは窒化アルミニウムからなる基板を、窒化物系化合物半導体多層薄膜をエピタキシャル成長する為の基板として用いることを特徴とする半導体製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C

Fターム (16件)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045BB02