特許
J-GLOBAL ID：200903041847725358
半導体ウェーハ処理剤
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-328545
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183288
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 シリコン表面の濡れ性を維持しつつ、発泡性を抑えて表面処理後ウェーハ表面に付着して残存するパーティクルの数を低下させる半導体ウェーハ処理剤を提供することを目的とする【構成】 酸性または塩基性溶液からなるエッチャント、界面活性剤およびアルコールを含んでなることを特徴とする半導体ウェーハ処理剤。
請求項（抜粋）：
酸性または塩基性溶液からなるエッチャント、界面活性剤およびアルコールを含んでなることを特徴とする、半導体ウェーハ処理剤。
IPC (3件)：
H01L 21/308
, H01L 21/304 341
, C23F 1/00 103
