半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146340
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017824
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】低抵抗でマイグレーション耐性は高いが、拡散防止層との付着力の弱いCu層の付着力を高めて剥がれを無くし、微細配線の信頼性を向上させる。【構成】W層3,Ti層4,Cu層5を順次堆積してパターニングした第1の積層構造を窒素ガスを含む雰囲気中で熱処理し、TiW層7,Ti層4,Cu-Ti層8,Cu層5からなる第2の積層構造およびその上面,側面をTiN層6で被覆した配線を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した絶縁膜の上に順次積層して形成したTiW層,Ti層,Cu-Ti層,Cu層からなる積層構造と、前記積層構造の上面および側面を被覆して形成したTiN層とを有する配線を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 , C23C 14/06 , C23C 16/06 , C23C 16/34 , H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/88 R , H01L 23/12 F , H01L 23/12 N

前のページに戻る