パワー半導体デバイス及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056884
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252466
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】電力分野などに利用されるパワー半導体デバイスにおいて、エピタキシャル層を有しない半導体基板(生ウェハ)を使用し、かつ工程数の増加を抑えたパワー半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】低濃度n形シリコン半導体基板(n-層)2の一方の面側の半導体基板2中にはp形領域3が形成され、このp形領域3内にはn+領域(ソース)4が形成されている。p形領域3上及びn+領域4上には、ゲート絶縁膜5を介してゲート電極6が形成されている。ゲート電極6が形成された前記一方の面とは反対側の他方の面側の半導体基板2中には、アンチモン(Sb)が導入されてなる半導体基板2より高濃度のn形層12が形成され、このn形層12上にはアンチモンを含む合金からなるドレイン電極10が形成されている。n形層12は、半導体基板2とドレイン電極10との間のコンタクト抵抗を低下させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の一方の面上に形成されたゲート電極及びソース電極と、前記ゲート電極及びソース電極が形成された前記一方の面とは反対側の他方の面側の前記半導体基板中に形成され、前記半導体基板と同じ導電形の不純物が導入されてなる前記半導体基板より高濃度の不純物層と、前記不純物層上に形成された前記不純物を含む合金を有するドレイン電極と、を具備することを特徴とするパワー半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/41

FI (2件)：

H01L 29/78 652 L , H01L 29/44 B

Fターム (11件)：

4M104AA01 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104FF02 , 4M104GG18 , 4M104HH15

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-220344
特開昭61-121435
特開昭61-220344

全件表示

前のページに戻る