特許

J-GLOBAL ID：200903041857761239

疎水性スルホニウム塩

発明者： 岩田 在博 ,  松永 智徳
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-372836
公開番号（公開出願番号）：特開2004-203763
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】リチウムイオン電池、電気二重層キャパシタ、色素増感型太陽電池などの水分の混入が好ましくない電気化学デバイスの電解質等として使用可能な、疎水性が高く、かつ低粘度、高イオン伝導性の常温溶融塩を得る。【解決手段】下記一般式(1)R1R2R3S+・Y- (I)(R1、R2、R3は各々独立に、炭素数7〜20の1価の有機基、Y-はファンデルワールス体積100Å3以上のアニオンである。)で示されるスルホニウム塩を用いる。R1〜R3としては炭素数8〜16のアルキル基であることが特に好ましい。また、Y-としては、下記一般式(II)(R4-CO-)n(R5-SO2-)2-nN- (II)(R4,R5はいずれも、フッ素で置換された炭素数1〜10の炭化水素基を示し、nは0、1又は2である。)で示されるイミドアニオンを採用することにより、高い耐酸化性が得られる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(I) R1R2R3S+・Y- (I) (R1、R2、R3は各々独立に、炭素数7〜20の1価の有機基、Y-はファンデルワールス体積100Å3以上のアニオンである。) で示されるスルホニウム塩。

IPC (8件)：

C07C381/12 ,  C07C235/06 ,  C07C311/09 ,  C07C311/51 ,  H01G9/038 ,  H01M6/16 ,  H01M10/40 ,  H01M14/00

FI (8件)：

C07C381/12 ,  C07C235/06 ,  C07C311/09 ,  C07C311/51 ,  H01M6/16 A ,  H01M10/40 A ,  H01M14/00 P ,  H01G9/00 301D

Fターム (19件)：

4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB91 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BV00 ,  5H024DD17 ,  5H024EE02 ,  5H024HH02 ,  5H029AJ06 ,  5H029AM07 ,  5H029DJ09 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ07 ,  5H032AA06 ,  5H032CC16 ,  5H032EE04 ,  5H032EE20 ,  5H032HH04