特許
J-GLOBAL ID：200903041859533179
半導体入力保護装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-019087
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218313
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 放射線に晒される宇宙空間などの特殊環境下においても正常に機能することが可能な半導体入力保護装置を提供する。【構成】 NチャンネルMOSトランジスタ12は、ドレイン領域14がソース領域15に取り囲まれており、これらの領域間に介在するゲート領域上部に酸化膜を介して形成されたゲート電極18は高電位源に接続されている。前記ドレイン領域はその一端が入力パッド11に接続され、他端からドレイン領域配線21が取り出され、このドレイン領域配線は第1の抵抗層22を介して内部回路入力端子23に接続されている。PチャンネルMOSトランジスタ13のゲート電極18 ́は低電位源に接続されている。
請求項（抜粋）：
入力パッドおよび内部回路入力端子間に接続されたNチャンネルMOSトランジスタおよびPチャンネルMOSトランジスタの直列接続からなる半導体入力保護装置において、前記NチャンネルMOSトランジスタは、ドレイン領域がソース領域に取り囲まれており、これらの領域間に介在するゲート領域上部に酸化膜を介して形成されたゲート電極は高電位源に接続され、前記ドレイン領域はその一端が前記入力パッドに接続され、他端からドレイン領域配線が取り出され、このドレイン領域配線は第1の抵抗層を介して前記内部回路入力端子に接続されており、前記PチャンネルMOSトランジスタは、ドレイン領域がソース領域に取り囲まれており、これらの領域間に介在するゲート領域上部に酸化膜を介して形成されたゲート電極は低電位源に接続され、前記ドレイン領域はその一端が前記入力パッドに接続され、他端からドレイン領域配線が取り出され、このドレイン領域配線は第2の抵抗層を介して前記内部回路入力端子に接続されていることを特徴とする半導体入力保護装置。
IPC (3件)：
H01L 27/06
, H01L 27/04
, H01L 29/784
H01L 27/06 311 C
, H01L 29/78 301 X
