特許

J-GLOBAL ID：200903041859835990

半導体装置

発明者： 福田 豊 ,  中瀬 好美 ,  野村 和仁
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-333124
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156219
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップの両面を放熱部材で挟んでなる構成を有する半導体装置において、放熱性を改善し、半導体チップの搭載位置のばらつきを抑えた半導体装置を提供する。【解決手段】 第1の放熱部材3の凸部6はSiチップ1a、1bの一面5a側の主電極と半田2を介して接合されており、第2の放熱部材4の凹部8にSiチップ1a、1bが嵌め合わされて半田2を介して接合されている。また、第1の放熱部材3の突起部7aにはスペーサ13をかませた状態で、第1および第2の放熱部材3、4に形成されたSiチップ1a、1b側に突出した突起部7a、7bが、リードフレーム9に形成された穴12a、12bに、嵌め合わされてかしめられている。

請求項（抜粋）：

半導体チップ(1a、1b)と、前記半導体チップ(1a、1b)の両面を挟むように熱伝導性を有する接合部材(2)を介して接合された一対の放熱部材(3、4)とを備え、前記一対の放熱部材(3、4)は、第1の放熱部材(3)と、前記半導体チップ(1a、1b)と対向する面に凹部(8)が形成された第2の放熱部材(4)とよりなり、この凹部(8)内に前記半導体チップ(1a、1b)が嵌め合わされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 23/28 B ,  H01L 23/36 A

Fターム (11件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DB02 ,  4M109DB03 ,  5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BC05 ,  5F036BC17 ,  5F036BE01