特許
J-GLOBAL ID：200903041861501420
金属パターンの形成方法及び金属配線パターンを有する半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-118120
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326235
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 微細化した半導体デバイスなどに金属パターンを形成する際に、プロセスが容易で簡単に実施でき、基板表面のトポログラフィによる影響も小さく、また高価な材料を必ずしも用いる必要のない金属パターンの形成方法及びこのような金属配線パターンを有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板等基板上に、露光により親水化可能となる疎水性の処理剤を用いて半導体基板の配線パターン形成面を処理して配線パターン形成面を疎水化Iし、該処理後の配線パターン形成面をパターン状に露光IIし、露光部を親水化IIIし、金属化合物の親水性溶液または疎水性溶液を該配線パターン形成面に塗布IV,IV′し、金属化合物を析出させこの金属化合物に金属化処理V,V′を施すことによってパターン状に金属を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に金属パターンを形成する金属パターンの形成方法であって、露光により親水化可能となる疎水性の処理剤を用いて基板のパターン形成面を処理してパターン形成面を疎水化し、該処理後のパターン形成面をパターン状に露光し、露光部を親水化し、金属化合物の親水性溶液を該パターン形成面に塗布し、金属化合物を析出させこの金属化合物に金属化処理を施すことによってパターン状に金属を形成することを特徴とする金属パターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01B 13/00 503
, H01L 21/3205
