特許

J-GLOBAL ID：200903041864138849

スピンデバイス及びその製造方法

発明者： 武笠 幸一 ,  陽 完治 ,  末岡 和久 ,  大野 啓
出願人/特許権者： 北海道大学長
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257373
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060211
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 実用に供することのできる新規なスピンデバイスを提供する。【解決手段】 InAsなどのIII-V族化合物半導体からなる半導体基板1上に、Feなどの強磁性遷移金属からなる強磁性細線2を、好ましくは幅0.2〜3μm、長さ1〜4000μm、高さ10〜100nmに形成する。そして、強磁性細線2に一軸の磁気異方性を誘起させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成された、一軸の磁気異方性を有する強磁性細線とを具えることを特徴とする、スピンデバイス。

IPC (3件)：

H01L 29/82 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/00

FI (3件)：

H01L 29/82 Z ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/00

Fターム (4件)：

5E049AC05 ,  5E049CB01 ,  5E049CB06 ,  5E049DB02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-252168   出願人：株式会社東芝
• 磁化駆動方法、磁気機能素子および磁気装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264629   出願人：ソニー株式会社
• 磁電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-265207   出願人：松下電器産業株式会社